JZM-D30為水平磁場(chǎng)方向的一維磁場(chǎng)探針臺(tái)，基本配置包括：?jiǎn)瓮诧@微鏡、樣品 XY 位移臺(tái)、磁場(chǎng)發(fā)生組件、探針組件、臺(tái)式電腦組件以及無(wú)磁光學(xué)平臺(tái)組件。

以下為各項(xiàng)配置規(guī)格及技術(shù)參數(shù)。

1、單筒顯微鏡要求：

同軸光照明，工作距離80 mm，更大放大倍率 0.75X~5X;相機(jī)幀率 30 幀，USB2.0輸出，500 萬(wàn)像素，支持手動(dòng)/自動(dòng) RGB 調(diào)節(jié)白平衡。

2、磁場(chǎng)發(fā)生組件技術(shù)規(guī)格：

（1）提供水平磁場(chǎng) 330 mT，磁場(chǎng)均勻性±1%φ1 mm；磁場(chǎng)探測(cè)分辨率 0.02 mT，（采用霍爾探頭進(jìn)行標(biāo)定），具備超溫保護(hù)與自動(dòng)斷電功能、磁場(chǎng)閉環(huán)反饋 PID功能。

（2）磁鐵電源：電源輸出電流可在正負(fù)額定*大電流之間連續(xù)變化，電流平滑過(guò)零無(wú)斷點(diǎn)且非開(kāi)關(guān)換向；輸出電流、電壓四象限工作。

3、探針組件功能配置：

（1）直流探針座 4 套：真空吸附開(kāi)關(guān)底座，X/Y 方向的移動(dòng)行程為±6 mm，調(diào)節(jié)分辨率±1 μm。

（2）直流探針5根（GGB）：針尖直徑 1μm，可測(cè)直流*大1 A；

（3）同軸彈簧夾具 4 套：漏電精度達(dá) 10 pA，*大電流 1 A，耐壓 700 V，*高頻率 1 MHz，≥1.5 m 三同軸電纜線(xiàn)，BNC 標(biāo)準(zhǔn)接口，同軸公接頭。

4、具備磁場(chǎng)手動(dòng)設(shè)置功能

包括反饋調(diào)節(jié)以及分布掃描；具備電磁鐵過(guò)載以及超溫保護(hù)報(bào)警功能；具備配置參數(shù)自動(dòng)保存功能；配備相應(yīng)的控制軟件，終身使用期限。

5、樣品XY位移臺(tái)技術(shù)規(guī)格：

可兼容樣品尺寸為2英寸， 滿(mǎn)足X/Y位移行程20mm，X/Y 位移精度 20um。

6、控制系統(tǒng)配置：CPU：intel I5；內(nèi)存：16 GB；硬盤(pán)：256 GB（固態(tài)）+512 GB（機(jī)械）；集成顯卡，顯示器23.8英寸，配備磁鐵掃場(chǎng)軟件。

7、無(wú)磁隔震光學(xué)平臺(tái)：臺(tái)面尺寸≥800mm*1200mm。

8、樣品固定方式為真空吸附；（配真空泵）。