錦正茂科技有限公司擁有自己的磁場開發團隊，在亥姆霍茲線圈的設計方面具有豐富的經驗，生產的亥姆霍茲線圈及高穩定性電源（10PPM）的質量和穩定性具有其它廠家無法比﹡的*越性，可為您提供一維，二維和三維的亥姆霍茲線圈，目前相繼開發設計出：圓形、方形、和八邊形亥姆霍茲線圈，同時借助有限元設計工具，開發了補償式八邊形亥姆霍茲線圈，將線圈均勻區提高了八倍。所涉及的線圈可以是固定的，也可以是旋轉的，所產生的磁場的范圍可以從幾百nT到上千高斯，磁場的均勻度在均勻區內可以高達到萬分之一。您可以將您的要求反饋給我們，我們可以根據您的設計要求進行仿真計算設計。所有特殊的安裝要求應該在應用中注明。

 一維方形亥姆霍茲線圈JF1200

技術指標：

● 線圈內空直徑約145mm，線圈外直徑約240mm；

● 線圈繞線線徑1.5mm，線圈電阻3歐姆；

● 線圈輸入電流5A時，對應線圈中心磁場不低于100Gs；

● 線圈均勻度1%時，對應線圈中心均勻區域大小優于40*40*40mm；

● 線圈均勻度0.5%時，對應線圈中心均勻區域大小優于32*32*32mm。