霍爾效應測試儀—高低溫磁場型本儀器系統由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應樣品支架、標準樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統軟件。為本儀器系統專門研制的JH10 效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。霍爾效應測試系統 半導體測試

產品概述：

本儀器系統由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應樣品支架、標準樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統軟件。為本儀器系統專門研制的JH10 效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。JH10 可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試系統是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必*的工具。 實驗結果由軟件自動計算得到，可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier oncentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等。霍爾效應測試系統 半導體測試

可測試材料:

半導體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等；

低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料等；

高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等。

技術指標:

*  電磁鐵磁場：10mm間距為2T 、 30mm間距為1T

*  樣品電流：0.05uA~50mA(調節 0.1nA)

*  測量電壓：0.1uV~30V

*  提供各類測試標準材料，各級別硅與砷化鎵（靈敏度與精度不同）

*  分辨率極小值：0.1GS

*  磁場范圍：0-1T

* 配合高斯計或數采板可計算機通訊

* I-V 曲線及 I-R 曲線測量等

*  霍爾系數、載流子濃度等參數隨溫度的變化曲線

* 電阻率范圍：5*10^-5～5*10²Ω.cm

*  電阻范圍：10 m Ohms~ 6MOhms

*  載流子濃度：5*10¹²～51*10²⁰cm^-3

* 霍爾系數：±1*10^-2～±1*10⁶cm³/C

*  遷移率：0.1~10⁸cm²/volt*sec

*  溫度調節 0.1K

*  溫區：78K-475K,室溫-773K（選配）

*  測試全自動化，一鍵處理

*  可實現相同溫差間的連續測量